| 本文對p-GaN／Au的接觸電阻率進行了研究。用沸騰的王水處理p-GaN表面后，p-GaN／Au可直接形成電阻率為0．045Ω.cm2 的歐姆接觸。接觸電阻率測試和I-V特性曲線測試表明，在N2氣氛圍中退火可影響p-GaN／Au接觸電阻率的大小。在700℃溫度下退火5min后，接觸電阻率最小，其值為0．034Ω.cm ，而在900℃溫度下退火5min后，I-V特性曲線是非線性的。分析表明，在700℃溫度下退火后，p-GaN／Au的界面間的反應使接觸面增大，而在900℃溫度下退火后， p-GaN表面的N會擴散到Au層里在p-GaN表面層產生N空位，這是p_GaN／Au接觸電阻率變化的主要原因。
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