俄歇效應是伴隨一個電子能量降低的同時，另一個電子能量增高的躍遷過程。最早是由奧杰(Auger)于1925年在從事X射線研究工作時發現的。l953年蘭德(Lander)提出使用電子激發俄歇電子的技術來鑒別固體表面的雜質。1968年哈里斯(Harris)論證了使用能量分布的微分曲線得到俄歇能譜，從而使這一方法的靈敏度得到極大提高。從而使俄歇電子能譜法(AEs)的應用得到普及。俄歇電子在固體中運行也同樣要經歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于10～500eV，它們的平均自由程很短，大約為0.5～0.2nm，因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子柬作輻射源，電子束可以聚焦、掃描，因此俄歇電子能譜可以作表面微區分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像。它是近代考察固體表面的強有力工具，廣泛用于各種材料分析以及催化、吸附、腐蝕、磨損等方面的研究。 俄歇電子能譜法在表面化學成分分析方面應用較廣。能對表面0.5～0.2nm厚度內的化學成分進行高靈敏度的分析。但是要做出絕對定量的分析比較困難。因此這種方法只適合做半定量分析。 |
