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電沉積接觸點的結構及制備方法

放大字體  縮小字體發布日期:2012-12-03  瀏覽次數:1255
核心提示:介紹了一種接觸點的組成結構及制造方法。該接觸點的結構包含以下幾個部分:(1)在基底上刻蝕了的帶盲孔的介電層
 

公開日 20070927

發明人 CABRAL JR C, DELIGIANNI H, KNARR R F, ROSSNAGEL S, SHAO X Y, TOPOL A, VEREECKEN P M

介紹了一種接觸點的組成結構及制造方法。該接觸點的結構包含以下幾個部分:(1)在基底上刻蝕了的帶盲孔的介電層,(2)位于盲孔底部的鈷及(或)鎳的硅化物或鍺化物層,(3)在介電層之上及盲孔內側,且覆蓋盲孔底部硅化物或鍺化物層的鈦或氮化鈦接觸層(在接觸層之上可加一個種子層,以便電鍍),(4)在孔內的金屬填充層。金屬填充層選取銅、銠、釕、銥、鉬、金、銀、鎳、鈷、鎘、鋅及其合金中至少一種,采用電沉積的方法制備。當金屬填充層為銠、釕或銥時,填充層與介電層之間無需有效的擴散阻擋層。若阻擋層可鍍(如釕、銠、鉑、銥),則無需種子層。

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