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電沉積磷酸銀光催化半導體薄膜的電化學制備方法

放大字體  縮小字體發布日期:2012-09-13  瀏覽次數:1371
核心提示:本發明公開了一種電沉積磷酸銀光催化半導體薄膜的電化學制備方法。
 

公開號 102134733

公開日 2011.07.27

申請人 浙江大學

地址 浙江省杭州市西湖區浙大路38號

本發明公開了一種電沉積磷酸銀光催化半導體薄膜的電化學制備方法。步驟如下:用丙酮沖洗ITO導電玻璃或硅片,再用去離子水將ITO導電玻璃或硅片放在超聲波清洗器里清洗,接著將ITO導電玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化,最后用去離子水反復沖洗;將0.002 ~ 2.000 mol/L的硝酸銀溶于蒸餾水,加入0.1 ~ 2.0 mol/L的氨水溶液,加入0.002 ~ 2.000 mol/L的磷酸鈉,充分攪拌,用2 mol/L的硝酸溶液和1 mol/L的氨水溶液調節溶液pH至7 ~ 13,最后得到澄清穩定的電解液;以ITO導電玻璃或硅片為工作電極,鉑片電極為對電極,飽和甘汞電極為參比電極一起放入電解液中進行電沉積,得到磷酸銀光催化半導體薄膜。本發明具有工藝簡單、成本低廉、反應條件溫和以及制備效率高等優點。

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