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專利號(申請號)：200810212837.7 公開（公告）號：CN101353810 公開( 公告)日：2009-01-28 申請日：2003-04-08 申請（專利權）人：ACM研究公司 頁 數：85 摘要： 本發明一方面提供一種用于對半導體晶片執行電解拋光或電鍍處理的設備和方法。該設備包括一清洗模塊，該清洗模塊具有一邊緣清洗組件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或邊緣部上的金屬殘留物。邊緣清洗設備包括一噴嘴頭(1030)，其往晶片主表面上供給液體和氣體，以及在供給液體、徑向向內位置處供給氣體，從而減小液體沿徑向向內方向流到晶片上形成的金屬薄膜的可能性。 |
